Результат поиска по ключевым словам.

КОД 66079

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N120 TO264 (FGL40N120AND(TU) not isol 1200V 40A (64A 25°C)

1200V 500W https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/518460/FAIRCHILD/FGL40N120ANDTU.html

КОД 96461

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N120 TO264 (FGL40N120AND(TU) not isol 1200V 40A (64A 25°C) демонтаж б/у used

КОД 96512

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N135 TO247 (IHW40N135R5 marking H40PR5) not isol 1350V 40A (80A 25°C)

Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 (80) А 394 Вт

КОД 68187

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 600V 40A TO-3P RJH60F5 (DPK)

КОД 95540

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 600V 40A TO-3P(N) (FGH40N60SFD) not isol

КОД 59186

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 600V 40A TO247 RJH60F5 (DPQ)

IGBT-N-CH+Di 600V 80A (25°C); 40A(100°C) 260.4W Vce(sat)=1.37v http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/451256/RENESAS/RJH60F5BDPQ-A0.html

КОД 67507

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 SMPS/UFS TO247 (HGT)G40N60A4D) not isol

КОД 95503

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 TO-3P (HGTG40N60UFD)

IGBT-N 600V,40A, 303W_с диодом_with diode

КОД 52993

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 TO-3P (SGH40N60UFD)

IGBT N-CH+Di 600V, 40A, 160W, Tf<100nS

КОД 66083

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 TO247 (IKW40N60H3) marking K40H603 not isol

600/1.95V 80A 306W http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/756608/INFINEON/IKW40N60H3.html

КОД 96629

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 TO247 600V 40A (IHW40N60R marking H40R60) not isol

IGBT 40A 600V Vcesat = 1.65V

КОД 96465

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N60 TO247 600V 40A (IHW40N60RF marking H40RF60) not isol

IGBT-N-CH+Di 600V 40A (175°C); 80A (25°C) Vce(sat=1.85V

КОД 79292

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N65 TO-3P (FGA40N65SMD)

КОД 96627

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N65 TO247 (IHW40N65R5 marking H40ER5)

КОД 22119

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *40N65 UFAST TO-247 650V 40A 283W (STGW40H65DFB)

GW40H65DFB https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/1465492/STMICROELECTRONICS/STGW40H65DFB.html https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/931953/STMICROELECTRONICS/STGWT40H65FB.html

КОД 65113

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *43N120 TO-247 (HGT)G11N120CND)

IGBT N-CH 1200V 43A

КОД 73359

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *45N60 TO247 STGW45HF60WD

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/931993/STMICROELECTRONICS/STGW45HF60WD.html

КОД 63329

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *48N60 ufast TO247 (IRGP4062D)

N-CH IGBT+D 600V, 48A, 250W (Ultrafast)

КОД 63664

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N100 TO-3P (GT50N322/GT50N321) 1000V 50A 156W

IGBT 1000V 40A 156W с диодом_with diode

КОД 73352

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N25 TO-3P IXTQ50N25T

КОД 47721

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N33 TO-3P RJH3047 (DPK)

IGBT N-CH+Di IGBT 330V, 50A, ?W, Tf<60nS

КОД 68210

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N33 TO-3P RJH3047A (DPK)

IGBT 330V,50A,60nS_с диодом_with diode

КОД 47722

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N33 TO-3P RJH3077 (DPK)

MOSFET N-CH+Di IGBT 330V, 50A, W, Tf<100nS

КОД 68227

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO-247 RJH60F7 (DPQ)

IGBT 600V,50A,VCE(sat) (V) =1.75,Pch (W) =328.9

КОД 73358

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO-247 STGW50HF60SD

КОД 73739

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO-247 STGW60V60DF V-Series

IGBT Chip N-CH (V-Series) 600V 60A(80A) 375W Максимальное напряжение КЭ - 600 В / Максимальный ток КЭ при 25 °C - 80 А / Импульсный ток коллектора (Icm) - 240 А / Напряжение насыщения при номинальном токе - 2,3 В / Максимальная рассеиваемая мощность - 375 Вт / Время задержки включения (td(on)) при 25 °C - 60 нс / Время задержки выключения (td(off)) при 25 °C - 208 нс / Рабочая температура (Tj) - от -55 °С до +175 °С; Максимальная температура перехода: TJ = 175 °C / Отключение без "хвоста" / VCE(sat) = 1,85 В (тип.) при IC = 60 А / Узкий диапазон параметров / Безопасное параллельное соединение / Низкое тепловое сопротивление / Очень быстрое мягкое восстановление антипараллельного диода / Применение: Фотоэлектрические инверторы; Источники бесперебойного питания; Сварка; Коррекция коэффициента мощности; Преобразователи очень высокой частоты. Устройства представляют собой IGBT, разработанные с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции полевого упора траншейных ворот / Эти устройства являются частью серии V / IGBT, которая представляет собой оптимальный компромисс между потерями на проводимость и коммутацию для максимального повышения эффективности преобразователей очень высокой частоты / Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE (sat) и очень точное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу. http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/552277/STMICROELECTRONICS/STGW60V60DF.html

КОД 72661

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO-3P (GT50JR22)

IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт https://alltransistors.com/pdfview.php?doc=gt50jr22.pdf&dire=_update

КОД 58521

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO-3P RJH60F7A (DPK)

IGBT 600V,90A,Tf<100nS, Trr=140nS C-E_с диодом_with diode http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/313725/RENESAS/RJH60F7ADPK.html

КОД 62586

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO247 (IKW50N60H3 marking K50H603) 600V 50A 167W

600V 50A 167W http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IKW50N60H3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432a40a650012a47934b1e2bea

КОД 62587

ТРАНЗИСТОР IGBT-N+Di *50N60 TO247 (IKW50N60T marking K50T60) not isol

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/119407/INFINEON/IKW50N60T.html